Гетероструктура
MOCVD.Первый метод позволяет выращивать гетероструктуры с высокой точностью (с точностью до атомного монослоя). Второй же не отличается такой точностью, но по сравнению с первым методом обладает более высокой скоростью роста.
За развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной оптоэлектроники Жорес Алфёров и Герберт Крёмер,США, получили Нобелевскую премию в 2000 году.
В рамках развития нанотехнологий в России ведётся активное развитие производств, связанных с гетероструктурами, а именно производство солнечных батарей и светодиодов.
Связанные понятия
300 К) полупроводниковых приборов. Удельная электрическая проводимость σ при 300 К составляет 10−4−10
10 Ом−1·см−1 и увеличивается с ростом температуры. Для полупроводниковых материалов характерна высокая чувствительность электрофизических свойств к внешним воздействиям (нагрев, облучение, деформации и т. п.), а также к содержанию структурных дефектов и примесей.
5⋅103 Вт·м−1·К−1 соответственно). Высокая подвижность носителей.
Баллистические транзисторы — собирательное название электронных устройств, где носители тока движутся без диссипации энергии и длина свободного пробега носителей намного больше размера канала транзистора. В теории эти транзисторы позволят создать высокочастотные (ТГц диапазон) интегральные схемы, поскольку быстродействие определяется временем пролёта между эмиттером и коллектором или, другими словами, расстоянием между контактами, делённым на скорость электронов. В баллистическом транзисторе скорость.
Магнитосопротивление (магниторезистивный эффект) — изменение электрического сопротивления материала в магнитном поле. Впервые эффект был обнаружен в 1856 Уильямом Томсоном. В общем случае можно говорить о любом изменении тока через образец при том же приложенном напряжении и изменении магнитного поля. Все вещества в той или иной мере обладают магнетосопротивлением. Для сверхпроводников, способных без сопротивления проводить электрический ток, существует критическое магнитное поле, которое разрушает.
Углеродная нанотрубка (сокр. УНТ) — это аллотропная модификация углерода, представляющая собой полую цилиндрическую структуру диаметром от десятых до нескольких десятков нанометров и длиной от одного микрометра до нескольких сантиметров (при этом существуют технологии, позволяющие сплетать их в нити неограниченной длины), состоящие из одной или нескольких свёрнутых в трубку графеновых плоскостей.
Гетероструктура
Гетероструктура — термин в физике полупроводников, обозначающий выращенную на подложке слоистую структуру из различных полупроводников, в общем случае отличающихся шириной запрещённой зоны. Между двумя различными материалами формируется гетеропереход, на котором возможна повышенная концентрация носителей, и отсюда — формирование вырожденного двумерного электронного газа. В отличие от гомоструктур обладает большей гибкостью в конструировании нужного потенциального профиля зоны проводимости и валентной зоны. Для роста используют много методов, среди которых можно выделить два:
Первый метод позволяет выращивать гетероструктуры с прецизионной точностью (с точностью до атомного монослоя [1] ). Второй же не отличается такой точностью, но по сравнению с первым методом обладает более высокой скоростью роста.
За развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной оптоэлектроники Жорес Алферов получил Нобелевскую премию в 2000 году.
В рамках развития нанотехнологий в России ведётся активное развитие производств, связанных с гетероструктурами, а именно производство солнечных батарей и светодиодов.
См. также
Примечания
Полезное
Смотреть что такое «Гетероструктура» в других словарях:
гетероструктура — гетероструктура … Орфографический словарь-справочник
ГЕТЕРОСТРУКТУРА — комбинация нескольких гетеропереходов, применяемая в полупроводниковых лазерах, светоизлучающих диодах и др … Большой Энциклопедический словарь
гетероструктура — комбинация нескольких гетеропереходов, применяемая в полупроводниковых лазерах, светоизлучающих диодах и др. * * * ГЕТЕРОСТРУКТУРА ГЕТЕРОСТРУКТУРА, комбинация нескольких гетеропереходов, применяемая в полупроводниковых лазерах (см.… … Энциклопедический словарь
гетероструктура — įvairialytis darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heterogeneous structure; heterojunction structure; heterostructure vok. Heterogefüge, n; Heterostruktur, f rus. гетероструктура, f pranc. hétérostructure, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ГЕТЕРОСТРУКТУРА — комбинация неск. гетеропереходов, применяемая в полупроводниковых лазерах, светоизлучагощих диодах и др … Естествознание. Энциклопедический словарь
гетероструктура — гетерострукт ура, ы … Русский орфографический словарь
гетероструктура — (1 ж); мн. гетерострукту/ры, Р. гетерострукту/р … Орфографический словарь русского языка
гетероструктура — гетерострукту/ра, ы … Слитно. Раздельно. Через дефис.
гетероструктура — и, ж. Комбінація кількох гетеропереходів, що використовується у напівпровідникових лазерах і т. ін … Український тлумачний словник
Гетероструктура
Из Википедии — свободной энциклопедии
Гетерострукту́ра — термин в физике полупроводников, обозначающий выращенную на подложке слоистую структуру из различных полупроводников, в общем случае отличающихся шириной запрещённой зоны. Между двумя различными материалами формируется так называемый гетеропереход, в котором возможна повышенная концентрация носителей, и отсюда — формирование вырожденного двумерного электронного газа. В отличие от гомоструктур обладает большей свободой выбора в конструировании нужного потенциального профиля зоны проводимости и валентной зоны. Гетероструктуры дают возможность управления фундаментальными параметрами в полупроводниковых кристаллах и приборах: шириной запрещенной зоны, эффективными массами носителей и их подвижностями, показателем преломления, электронным энергетическим спектром и т. д.
Для выращивания гетероструктур используют много различных методов, среди которых можно выделить два основных:
Первый метод позволяет выращивать гетероструктуры с высокой точностью (до атомного монослоя [1] ). Второй же не имеет высокой точности, но по сравнению с первым методом обладает более высокой производительностью.
За развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной оптоэлектроники Жорес Алфёров (Россия) и Герберт Крёмер (США) были удостоены Нобелевской премии в 2000 году.
В рамках программы развития нанотехнологий в России ведётся активное развитие производств, связанных с гетероструктурами, а именно производство солнечных батарей и светодиодов.
гетероструктура
Смотреть что такое «гетероструктура» в других словарях:
гетероструктура — гетероструктура … Орфографический словарь-справочник
Гетероструктура — термин в физике полупроводников, обозначающий выращенную на подложке слоистую структуру из различных полупроводников, в общем случае отличающихся шириной запрещённой зоны. Между двумя различными материалами … Википедия
ГЕТЕРОСТРУКТУРА — комбинация нескольких гетеропереходов, применяемая в полупроводниковых лазерах, светоизлучающих диодах и др … Большой Энциклопедический словарь
гетероструктура — įvairialytis darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heterogeneous structure; heterojunction structure; heterostructure vok. Heterogefüge, n; Heterostruktur, f rus. гетероструктура, f pranc. hétérostructure, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ГЕТЕРОСТРУКТУРА — комбинация неск. гетеропереходов, применяемая в полупроводниковых лазерах, светоизлучагощих диодах и др … Естествознание. Энциклопедический словарь
гетероструктура — гетерострукт ура, ы … Русский орфографический словарь
гетероструктура — (1 ж); мн. гетерострукту/ры, Р. гетерострукту/р … Орфографический словарь русского языка
гетероструктура — гетерострукту/ра, ы … Слитно. Раздельно. Через дефис.
гетероструктура — и, ж. Комбінація кількох гетеропереходів, що використовується у напівпровідникових лазерах і т. ін … Український тлумачний словник
ГЕТЕРОСТРУКТУРА
Смотреть что такое «ГЕТЕРОСТРУКТУРА» в других словарях:
гетероструктура — гетероструктура … Орфографический словарь-справочник
Гетероструктура — термин в физике полупроводников, обозначающий выращенную на подложке слоистую структуру из различных полупроводников, в общем случае отличающихся шириной запрещённой зоны. Между двумя различными материалами … Википедия
гетероструктура — комбинация нескольких гетеропереходов, применяемая в полупроводниковых лазерах, светоизлучающих диодах и др. * * * ГЕТЕРОСТРУКТУРА ГЕТЕРОСТРУКТУРА, комбинация нескольких гетеропереходов, применяемая в полупроводниковых лазерах (см.… … Энциклопедический словарь
гетероструктура — įvairialytis darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heterogeneous structure; heterojunction structure; heterostructure vok. Heterogefüge, n; Heterostruktur, f rus. гетероструктура, f pranc. hétérostructure, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ГЕТЕРОСТРУКТУРА — комбинация неск. гетеропереходов, применяемая в полупроводниковых лазерах, светоизлучагощих диодах и др … Естествознание. Энциклопедический словарь
гетероструктура — гетерострукт ура, ы … Русский орфографический словарь
гетероструктура — (1 ж); мн. гетерострукту/ры, Р. гетерострукту/р … Орфографический словарь русского языка
гетероструктура — гетерострукту/ра, ы … Слитно. Раздельно. Через дефис.
гетероструктура — и, ж. Комбінація кількох гетеропереходів, що використовується у напівпровідникових лазерах і т. ін … Український тлумачний словник
