Что такое время доступа к оперативной памяти

Оперативная память: характеристики

Оперативная память компьютера или ОЗУ — это энергозависимая память ПК, обладающая высокой скоростью чтения/записи по сравнению с ПЗУ (HDD, SSD). Основное назначение оперативной памяти — временное хранение данных, к которым можно получить быстрый доступ: код программы, кэш, промежуточные вычисления, текущие параметры операционной системы, настройки драйверов и т.д. Именно в оперативную память загружается код программы перед непосредственным её исполнением центральным процессором (CPU).

Основные характеристики оперативной памяти

При выборе оперативной памяти, нужно обязательно учитывать следующие характеристики:

Тип памяти

Скорость чтения/записи важный показатель оперативной памяти, именно поэтому идёт постоянная борьба за производительность ОЗУ. Технологии не стоят на месте, периодически появляются новые стандарты оперативной памяти, как правило, превосходящие своих предшественников по скорости в 2 раза. Наибольшее распространение получила синхронная динамическая память с произвольным доступом (SDRAM), эволюционная линейка которой выглядит следующим образом: DDR, DDR2, DDR3, DDR4, DDR5.

Форм-фактор модуля памяти

Планки оперативной памяти имеют различный форм-фактор исполнения в зависимости от того, где будет эксплуатировать ОЗУ в ноутбуке или компьютере. Форм-фактор оперативной памяти для стационарных компьютеров именуется DIMM, а для ноутбуков — SO-DIMM.

Ключ модуля оперативной памяти

Печатная плата (модуль/планка), на которой размещены чипы памяти, имеет специальный ключ (прорезь), в зависимости от типа SDRAM-памяти: DDR, DDR2, DDR3, DDR4, DDR5. Связано это с тем, что типы памяти не совместимы между собой.

Объём модуля памяти

Объём оперативной памяти, на ряду с характеристиками прочих комплектующих ПК, непосредственно влияет на производительность системы в целом. При достаточном объёме ОЗУ, операционная система реже задействует файл подкачки, что исключает лишние операции чтения/записи, которые проходят на более низких скоростях.

Объём одного модуля оперативной памяти, зависит от типа памяти.

Тактовая частота оперативной памяти

Параметр зависит от типа оперативной памяти: DDR, DDR 2, DDR 3, DDR 4, DDR 5. Чем выше тактовая частота, тем лучше. Обязательно стоит учитывать характеристики процессора, который должен поддерживать соответствующую тактовую частоту ОЗУ.

Обязательно стоит учитывать режим работы — одно- или двухканальный. Если процессор способен работать с максимальной частотой определённого типа памяти в одноканальном режиме, он может не поддерживать данную частоту в двухканальном режиме. При этом, система запустится и будет работать, но на более низкой частоте.

Стоит отметить тот факт, что оперативная память, независимо от типа, в процессе своей работы поддерживает весь диапазон тактовых частот, расположенных ниже своей максимальной частоты. К примеру, максимальная тактовая частота модуля памяти DDR 4 2400 МГц — ОЗУ может работать на следующих частотах: 2400, 2133, 1866, 1600.

Частота, на которой запустится оперативная память (без учёта разгона) зависит от характеристик процессора, чипсета материнской платы и установленной видеокарты. Если, какой-то из компонентов системы будет «тормозить», то память не запустится на пределе своих возможностей.

Тайминг оперативной памяти

Тайминг или латентность — время задержки доступа к ячейкам памяти между операциями чтения/записи. Важный параметр оперативной памяти.

CAS Latency (CL) — Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.

RAS to CAS Delay (tRCD) — показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.

Row Precharge Delay (tRP) — ОЗУ — динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку — регенерацию ОЗУ — и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.

Activate to Precharge Delay (tRAS) — минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.

Источник

Оперативная память

Обычно рассматривают модель четырехуровневой иерархии памяти: кэш-память первого уровня (сверхоперативная L1), кэш-память второго уровня (сверхоперативная L2), основная (оперативная) и внешняя память (жесткие диски). В качестве основных критериев при таком делении выступают быстродействие и цена; последняя, в свою очередь, влияет на типичные размеры конкретного вида памяти.

Принцип работы динамической памяти

Ячейки памяти динамического типа конфигурируются обычно в матрицу строк и столбцов, причем процесс считывания организуется таким образом, что содержимое целой строки переносится в некий буфер. После считывания соответствующего бита содержимое буфера перезаписывается в ту же строку ячеек динамической памяти, т. е. происходит перезарядка конденсаторов, которые до считывания были в заряженном состоянии. Время хранения заряда конденсатором ограничено (из-за паразитных утечек). Чтобы не потерять имеющиеся данные, необходимо периодически восстановливать записанную информацию, что и выполняется в циклах регенерации.

Современная индустрия постоянно вводит в употребление новые технологии, и основанные на них запоминающие устройства различаются по многим параметрам, начиная с архитектурных особенностей и заканчивая форм-фактором монтажного модуля памяти.

Базовые понятия

Эволюция динамической памяти

Таблица 1. Прогноз смены типов памяти

Fast Page Mode DRAM

Extended Data Out DRAM

Burst EDO DRAM

В памяти типа BEDO, в отличие от EDO DRAM, выборка четырех операндов команды передачи данных происходит автоматически. BEDO DRAM была разработана как альтернатива синхронной памяти, однако не получила поддержки разработчиков наборов микросхем, и к тому же у нее была невысокая максимальная тактовая частота (66 МГц), так что она не нашла широкого распространения.

Synchronous DRAM

Double Data Rate SDRAM

Вообще говоря, обычную синхронную память правильнее называть SDR (Single Data Rate) SDRAM. Синхронная память с удвоенной скоростью (DDR) сохранила архитектуру, количество банков и сам технологический процесс производства SDRAM, однако имеющиеся в ней схемотехнические усовершенствования позволяют существенно увеличить ее быстродействие. В частности, здесь используется еще более жесткая синхронизация работы устройства. В функциональную структуру введены схемы фазовой автоподстройки частоты DLL (Delay Locked Loop), обеспечивающие для сигналов стробирования данных цикл с фиксированной задержкой. Эти сигналы помогают контроллеру памяти более точно синхронизировать данные, поступающие от разных модулей памяти, находящихся в одном банке. Микросхемы DDR SDRAM фактически увеличивают скорость доступа к данным вдвое по сравнению с SDRAM, используя при этом одну и ту же частоту. Дело в том, что применение DDR SDRAM дает возможность читать информацию как по переднему, так и по заднему фронту сигнала таймера. Кроме того, частота операций повышается за счет использования интерфейсных логических схем с низким питающим напряжением. Если для SDRAM обычно используются схемотехнические решения на базе низкоуровневой транзисторно-транзисторной логики LVTTL (Low Volt Transistor-to-Transistor Logic) с напряжением питания 3,3 В, то в DDR SDRAM применяется специальная логика SSTL (Stub Series Terminated Logic) с напряжением 2,5 В.

Direct Rambus

Рис. 1. RIMM-модуль.

Сигнальный протокол Direct Rambus основан на электрическом интерфейсе RSL (Rambus Signaling Levels), дающем возможность при помощи технологии удвоенной передачи данных (DDR) получить результирующую частоту 800 МГц и использовать стандартный КМОП-интерфейс сигналов ввода-вывода ядра ASIC (Application Specific Integrated Circuit). Высокоскоростной протокол сигналов RSL использует низковольтные напряжения логических уровней.

Запоминающее ядро микросхем имеет многобанковую организацию. При этом каждый банк может иметь как выделенные, так и совместно используемые усилители считывания, благодаря чему в микросхеме может быть активировано несколько банков одновременно.

Микросхемы и модули

Емкость микросхем памяти традиционно измеряется в битах, а вот применительно к модулям используют байты (1 Мбайт = 8х1 Мбит). Обозначение 1 Мх4 означает, что данная микросхема может адресовать один мегабит ячеек, в каждой из которых может храниться 4 бита информации. Говорят также, что емкость такой микросхемы 4 Мбит. Как правило, емкость микросхем памяти растет с инкрементом 4. Дело в том, что добавление одной адресной линии позволяет увеличить количество строк (и столбцов) в матрице памяти вдвое, всего же ее размер возрастает вчетверо.

Рис. 2. Кристаллы памяти на подложке.

Для современных модулей памяти используются многослойные печатные платы. Стандарты предъявляют специальные требования к слоям, расстоянию между дорожками и качеству разводки. Большинство печатных плат имеют четыре слоя (два сигнальных, питание и «масса»). Сигналы и питание и масса должны быть разведены по разным слоям. Отдельные фирмы-производители плат используют шестислойные печатные платы, где каждый сигнальный слой располагается между слоями массы и питания, что уменьшает возможность возникновения шумов и электромагнитных наводок между линиями.

У DIMM-модулей, в отличие от SIMM, контакты на противоположных сторонах платы электрически не связаны между собой. Это дает возможность практически вдвое увеличить количество выводов модуля. Сами микросхемы памяти также устанавливаются на плате с двух сторон. Стоит отметить, что по форм-фактору DIMM-модули DDR SDRAM отличаются от SDRAM: число контактов в них увеличилось со 168 до 184, а изменившееся положение ключа не позволяет вставить модули DIMM DDR в разъемы для SDRAM.

Модули DIMM подразделяются по напряжению питания и нагрузочной способности (буферизированные и небуферизированные). Модули с высокой нагрузочной способностью обычно применяются в системах с большим объемом памяти, так как из-за высокой электрической емкости модулей памяти время их подзарядки (а память нужно всегда подзаряжать, чтобы она не очистилась) становится очень большим, что приводит к потере тактов и вообще чревато ошибками. Буферные микросхемы сохраняют поступившие данные довольно быстро, освобождая контроллер от излишней нагрузки. Понятно, что из-за дополнительных задержек производительность такого рода памяти немного ниже. Первое поколение таких модулей носило название Buffered DIMM и использовалось с памятью типа FPM и EDO. Второе поколение DIMM позволило, наряду с памятью EDO и FPM, использовать SDRAM, а аналогом памяти Buffered для второго поколения стала так называемая память типа Registered. В качестве буферов обычно используются микросхемы приемопередающих устройств (шинных усилителей).

Перспективной технологией предотвращения ошибок в памяти считается IBM Chipkill. При ее использовании отказ отдельной микросхемы, независимо от ее разрядности, не затронет более одного разряда в каком-либо из слов ECC. Например, в 4-разрядной микросхеме DRAM отдельные биты из всей четверки попадают в разные слова ECC, т. е. в разные адресные пространства памяти. Поэтому даже в случае полного отказа микросхемы количество ошибочных разрядов в словах ECC не превысит единицу, а такую ошибку механизм ECC устраняет автоматически.

Характеристики быстродействия SDRAM

Таблица 2. Характеристики динамической памяти различных технологий

Заметим, что набор микросхем Intel 850 имеет два независимых канала для работы с памятью Rambus, так что общая пропускная способность составляет 3200 Мбайт/с (1600 Мбайт/с х2).

Как работает синхронная память

Что такое QBM

Компания Kentron Technologies (http://www.kentrontech.com) предложила архитектуру памяти Quad Band Memory (QBM). Увеличение пропускной способности DDR SDRAM достигается с помощью дополнительной системы фазовой автоподстройки частоты. В результате данные, которые в случае использования обычной DDR SDRAM дожидались бы окончания половины такта, доступны также через 1/4 и 3/4 такта. Теоретически в этом случае максимальная пропускная способность должна увеличиться вдвое.

Производство памяти

Компания Kingston Technology (http://www.kingston.com), хорошо известная своими высококачественными модулями оперативной памяти, была основана в 1978 г. Она имеет региональные представительства в разных странах мира и фабрики в США, Ирландии, Тайване, Малайзии, Китае. Kingston Technology осуществляет поставки в десятки стран мира. На современном оборудовании компания производит свыше 2 тыс. различных наименований продукции, совместимых с самыми разнообразными системами. Все изделия проходят 100%-ное тестирование, производство соответствует стандарту ISO 9001, а уровень брака не превышает 0,1%. Kingston обеспечивает пожизненной гарантией все модули своего производства. Так, модули памяти ValueRAM (рис. 3), изготовленные при соблюдении всех технологических норм и гарантированном контроле качества, предназначены для применения в самых ответственных системах. Изделия подвергаются множеству проверочных тестов, в частности, проходят циклы воздействия высоких и низких температур, а также температурно-влажностные испытания. Дополнительная проверка предусматривает воздействие различных режимов напряжения и температуры. Kingston входит в комитет по стандартизации JEDEC, тесно сотрудничает с лидерами индустрии.

Рис. 3. Модули памяти ValueRAM.

Тайваньская компания Transcend Information (http://www.transend.com.tw), один из ведущих производителей модулей памяти, была основана в 1988 г. Все модули производства Transcend имеют пожизненную гарантию, а высокая надежность продукции обеспечивается полным контролем качества на всех этапах производства. Эта компания первой среди тайваньских производителей модулей памяти получила сертификат соответствия ISO 9001 на свое производство. Компания с головным офисом в Тайбэе располагает региональными представительствами в США, Германии, Нидерландах, Японии, Гонконге и более чем 5 тыс. дистрибьюторов по всему миру. На сегодня компания продает свыше 2 тыс. наименований высококачественной и недорогой памяти. К примеру, для производства оперативной памяти семейства JetRam (рис. 4) Transcend закупает высококачественные компоненты у ведущих мировых производителей, тестирует их, а затем выпускает готовые модули. Цена на такие модули значительно ниже, чем на оригинальные, и они ориентированы на рынок компьютеров и серверов средней и низкой стоимости. С целью выявления некачественных продуктов каждый модуль во время производства и непосредственно перед началом поставок проходит множество тестов, включающих тщательное динамическое тестирование и имитацию работы в реальных условиях.

Другие статьи из раздела

Chloride
Демонстрация Chloride Trinergy
Впервые в России компания Chloride Rus провела демонстрацию системы бесперебойного электропитания Chloride Trinergy®, а также ИБП Chloride 80-NET™, NXC и NX для своих партнеров и заказчиков.

NEC Нева Коммуникационные Системы
Завершена реорганизация двух дочерних предприятий NEC Corporation в России
С 1 декабря 2010 года Генеральным директором ЗАО «NEC Нева Коммуникационные Системы» назначен Раймонд Армес, занимавший ранее пост Президента Shyam …

компания «Гротек»
С 17 по 19 ноября 2010 в Москве, в КВЦ «Сокольники», состоялась VII Международная выставка InfoSecurity Russia. StorageExpo. Documation’2010.
Новейшие решения защиты информации, хранения данных и документооборота и защиты персональных данных представили 104 организации. 4 019 руководителей …

МФУ Panasonic DP-MB545RU с возможностью печати в формате А3
Хотите повысить эффективность работы в офисе? Вам поможет новое МФУ #Panasonic DP-MB545RU. Устройство осуществляет

Adaptec by PMC
RAID-контроллеры Adaptec Series 5Z с безбатарейной защитой кэша
Опытные сетевые администраторы знают, что задействование в работе кэш-памяти RAID-контроллера дает серьезные преимущества в производительности …

Chloride
Трехфазный ИБП Chloride от 200 до 1200 кВт: Trinergy
Trinergy — новое решение на рынке ИБП, впервые с динамическим режимом работы, масштабируемостью до 9.6 МВт и КПД до 99%. Уникальное сочетание …

Источник

В случае с процессорами AMD Ryzen все понятно — там внутренняя шина напрямую зависит от частоты ОЗУ, так что чем последняя больше, тем быстрее передаются данные между кластерами ядер и тем быстрее работает CPU.

Но в случае с Intel такого нет, кольцевая шина этих процессоров не зависит от частоты ОЗУ. К тому же большая часть игровых ноутбуков работает на медленной памяти с частотой 2400-2666 МГц без каких-либо проблем в играх, как и многие относительно старые топовые Core i7, которые вообще пашут вместе с DDR3 на частоте 1600 МГц и в ус не дуют. Чтобы этот обзор был полезен обоим лагерям, мы расскажем, так ли нужна быстрая память для современного игрового ПК на процессоре Intel, нужно ли так внимательно обращать внимание на тайминги и сколько оперативной памяти нужно современному ПК для игр и работы. Посмотрим, так ли нужны низкие тайминги, и как FPS в тяжелых играх зависит от частоты ОЗУ.

В этой статье мы будем рассматривать реальную игровую систему с реальными настройками графики. Иными словами, не будет никаких тестов в HD с минимальным пресетом, чтобы максимально нагрузить процессор — все игровые бенчмарки прогонялись в народном разрешении 1920х1080 на максимальных настройках, чтобы упор был именно в видеокарту. В противном случае, если упор идет в процессор, низкий FPS будет еще терпимой проблемой — вы скорее всего будете получать фризы и непрогруженные текстуры. Конечно, если вы суровый челябинский геймер, едва ли это вас остановит, но мы все же рассматриваем реальные игровые условия.

Также мы рассматриваем ситуацию, когда видеокарте хватает собственной памяти — в противном случае вы опять же можете столкнуться с проблемами производительности в играх, и быстрая ОЗУ едва ли вас спасет, потому что она все еще будет чуть ли не на порядок медленнее видеопамяти. Перейдем к тестовой системе.

Процессором выступил инженерный Core i9-9900K в разгоне до 4.8 ГГц, который точно не станет бутылочным горлышком в системе, куплен проц на али. Видеокарта — топ предыдущего поколения, Nvidia GTX 1080 Ti. Ну и главный компонент — это 32 ГБ ОЗУ DDR4-3400 с таймингами 16-18-18-36 CR1 4-мя планками по 8 ГБ. Все игры и система запускались с быстрых NVMe SSD Samsung.

Что будет, если задрать тайминги в облака?

Первое, что мы проверим — что будет, если мы очень сильно увеличим тайминги ОЗУ. Что же это такое? По сути оперативная память — это набор ячеек, которые могут хранить 0 или 1. Однако процессору, чтобы добраться до определенной ячейки, нужен ее точный адрес — банк памяти, строка и столбец. Тут все очень похоже на реальные адреса — на письме вы должны указать город, улицу, дом и лишь потом только квартиру.

При это процессор — очень ответственный почтальон, он должен точно знать, сколько у него займет по времени обращение к определенной ячейке. И как раз это время и есть тайминг, и всего выделяют 4 основных или первичных, а также с десяток вторичных и нередко под полсотню третичных. Максимальный вклад в быстродействие памяти дают именно первичные тайминги, поэтому именно их мы и будем рассматривать.

И, очевидно, чем тайминги меньше, тем быстрее процессор сможет добираться до нужных ячеек и тем быстрее он будет работать с ОЗУ, поэтому выглядит разумным покупать тот комплект памяти, у которого минимальные задержки на своей частоте.

Но так ли сильно тайминги влияют на производительность? Давайте проверим. В моем случае ОЗУ DDR4 на частоте в 3400 МГц работала на неплохих таймингах 16-18-18-36. Давайте сильно их завысим, до 20-22-22-60, и посмотрим, как это сказалось за быстродействии памяти. Тут нужно понимать, что ОЗУ с настолько высокими таймингами с такой частотой вы в продаже не найдете, то есть мы рассматриваем случай даже хуже крайнего.

Итак, тест памяти и кэша в AIDA64 показал, что при таком завышении таймингов слегка снизилась скорость копирования и на 10% увеличилась задержка доступа к ОЗУ. Последнее как раз и было ожидаемо с учетом того, что мы сильно увеличили тайминги, но в общем и целом падение сложно назвать катастрофическим.

А как обстоят дела в играх? Посмотрим на Assassin’s Creed: Odyssey. Эта игра выжимает все соки из системы и неплохо нагружает даже быстрый 8-ядерный процессор, да и заняла она целых 7 ГБ ОЗУ. И что же мы видим? Средний FPS не изменился абсолютно, он около сотни.

Ладно, а как себя поведет игра World War Z на API Vulkan? Он низкоуровневый и в теории может лучше работать с железом. Но и здесь разницы нет — что с оптимизированными, что с задранными таймингами FPS непоколебим и составляет 180.

Может в Far Cry New Dawn картина изменится, как-никак эта игра не очень хорошо оптимизирована под многопоток? И да, разница действительно есть, но ее сложно назвать значительной — средний FPS при увеличении таймингов снизился с 125 до 122, то есть лишь на 2%.

Какой отсюда можно сделать вывод? Даже если поставить откровенно гипертрофированные тайминги, разница в FPS минимальна или ее нет совсем. С учетом того, что продающиеся наборы ОЗУ нередко уже из коробки имеют неплохие тайминги для своей частоты, нет никакого смысла переплачивать за дорогие комплекты с небольшими задержками — вы едва ли уловите разницу в FPS. И это же, в теории, касается процессоров AMD.

Почему так происходит? Все просто — подавляющее большинство современных и не очень процессоров и имеют по три или даже четыре уровня кэша. И информация из ОЗУ заранее пишется в кэш, и лишь потом с ней работает CPU. А с учетом того, что кэша третьего уровня много, нередко пара десятков мегабайт, влияние задержек доступа к памяти становится минимальным.

Играемся с частотой памяти

Окей, а есть ли вообще смысл в большой частоте ОЗУ? Мы решили проверить три варианта. Первый — это DDR4-2133, минимальная пользовательская частота для последнего поколения памяти. Да, вы можете сказать, что большая часть процессоров даже на неразгонных платах поддерживает частоту хотя бы 2400 МГц, но мы решили пойти по самому минимуму и рассмотреть вариант, когда в компьютере стоит самая дешевая память с AliExpress.

Второй вариант — это DDR4-2933. Именно такую память способны поддерживать современные процессоры Intel Core 10-ого поколения, они же Comet Lake, на всех платах даже без разгона. С учетом того, что возможности по оверклокингу у таких процессоров чисто номинальные и вы от силы получите несколько лишних процентов производительности, возникает вопрос — а есть ли вообще смысл переплачивать за платы на чипсете Z490, раз CPU почти не гонится, и остается только разгон памяти?

Ну и третий вариант — это текущая конфигурация на DDR4-3400. Такая частота доступна подавляющему большинству современных процессоров Intel, даже если это урезанные Core i3, при этом планки на ней стоят вменяемых денег.

Во всех случаях были выбраны средние тайминги для каждой из частот — то есть те, которые будут доступны на любых магазинных модулях. Для DDR4-2133 это 12-14-14-29, для DDR4-2933 это 15-17-17-35, ну и для DDR4-3400 это 16-18-18-36.

Для начала — все тот же тест ОЗУ из AIDA64. Тут уже падение скоростей чтения и записи сложно назвать слабым — шутка ли, DDR4-3400 быстрее стоковой DDR4-2133 в полтора раза. А вот задержки увеличились не очень сильно, приблизительно на 20% — сказывается то, что тайминги в обоих случаях были неплохо оптимизированы.

Перейдем к тестам в играх, и начнем с все той же Assassin’s Creed Odyssey. Падение частоты больше чем на 20%, с 3400 до 2933 МГц, игра просто не заметила — средний FPS не изменился совершенно. А вот на DDR4-2133 игра уже выдала только 93 кадра в секунду, то есть падение производительности составило порядка 5%.

В World War Z API Vulkan показывает, что он дейсвительно ближе к железу, чем DirectX — уже на 2933 МГц мы видим падение частоты кадров с 180 до 178, а на 2133 МГц мы получаем только 169 FPS. Иными словами, максимальная потеря кадров составила 7% — не так уж и мало.

Ну и переходим к Far Cry New Dawn, и вот тут даже переход на DDR4-2933 снижает FPS на пару процентов, а на DDR4-2133 вы не досчитаетесь уже 13 кадров в секунду, что составляет 11% — достаточно внушительная потеря.

Какой можно сделать вывод? DDR4-2133 для игр брать точно не стоит, во всех протестированных играх такая память ощутимо снижает итоговый FPS. А вот DDR4-2933 показывает себя на удивление неплохо — я ожидал, что в тяжелом Assassin-е будут просадки частоты кадров, но их там не было от слова совсем. Так что Intel не зря выбрала такую частоту дефолтной для своих псевдо новых процессоров — память на ней едва ли будет узким местом в системе.

Что касается обьема ОЗУ, совсем недавно популярный зарубежный Youtube-канал Linus Tech Tips, подтвердил, то, о чем мы уже не раз говорили, объём DDR4 в 4GB почти непригоден для использования, так как после простой загрузки Windows 10 половина памяти уже была занята.

С 8 гигабайтами ОЗУ работать становиться куда приятней. Можно смело запускать 3 ролика в 4K или 27 простых вкладок. В играх потребление памяти зависит от конкретного тайтла, но 16 Гб можно смело назвать золотой серединой. C 8 Gb ОЗУ тоже жить можно, но при этом файл подкачки используется на 20% от своего объёма, так что для дополнительных фоновых процессов неплохо бы обзавестись китом памяти на 16 Gb.

Дальнейшее наращивание объёма оперативной памяти не даёт почти никакого эффекта. Этих же 16 Гб будет сполна хватать для рендера, 32 Gb ОЗУ может понадобиться либо профессионалам, либо если вы любите открывать все и сразу.

Более 32 Gb может потребоваться художникам и создателям контента, которые держат открытыми сразу несколько рабочих программ.

Ну и глобальный итог — нет особого смысла гнаться за очень быстрой памятью. Если между DDR4-2933 и DDR4-3400 разницу уже нужно искать под лупой, то уж при переходе на DDR4-4000 вам потребуется микроскоп. А ведь стоит последняя достаточно дорого, и, сэкономив на ней, вы вполне можете взять более быструю видеокарту и гарантированно получить прирост производительности в играх.

Так что на данный момент имеет смысл остановиться на 8 или лучше 16 Гб памяти с частотой около 3 ГГц, причем не нужно дополнительно ужимать тайминги, стандартного XMP-профиля вполне хватит.

Мой Компьютер, специально для Пикабу.

Источник