Что такое генерация в физике

Значение слова «генерация»

1. Все члены одного рода или одного вида животных, растений; поколение. От сорта Ренклод терновый имеется трехлетний сеянец второй генерации, полученный от вторичного скрещивания с Ренклодом зеленым. Мичурин, Мои опыты с выведением новых сортов слив в суровых местностях.

2. Воспроизведение, производство. Генерация электрической энергии.

[От лат. generatio — рождение]

Источник (печатная версия): Словарь русского языка: В 4-х т. / РАН, Ин-т лингвистич. исследований; Под ред. А. П. Евгеньевой. — 4-е изд., стер. — М.: Рус. яз.; Полиграфресурсы, 1999; (электронная версия): Фундаментальная электронная библиотека

Генерация в микробиологии − период, в течение которого осуществляется деление клетки.

Генерация — существительное, образованное от глагола «генерировать». Например, генерация электромагнитных волн.

ГЕНЕРА’ЦИЯ, и, ж. [латин. generatio]. 1. собир. Поколение, все члены одного рода или одного вида животных, растений и минералов, одинакового происхождения (науч.). 2. Электромагнитные колебания в антенне, происходящие помимо передачи и создающие хрип и писк (радио).

Источник: «Толковый словарь русского языка» под редакцией Д. Н. Ушакова (1935-1940); (электронная версия): Фундаментальная электронная библиотека

генера́ция

1. биол. геол. совокупность представителей одного рода или вида (животных, растений, минералов и проч.), имеющих одинаковое или сходное происхождение ◆ Поэтому, вопреки установившемуся мнению многих спецов о полезности работы с воспитанием гибридных сеянцев второй генерации многолетних плодовых растений, я ограничиваюсь воспитанием гибридов лишь сеянцев первой генерации. И. В. Мичурин, «Критический обзор достижений генетики последнего времени», 1929 г. (цитата из НКРЯ) ◆ Втора́я генера́ция факоли́та предста́влена ме́лкими (до 0.2 см в попере́чнике), как пра́вило, бесцве́тными криста́ллами, нараста́ющими на факоли́т пе́рвой генера́ции. А. А. Антонов, «Минералогия родингитов Баженовского гипербазитового массива», 2003 г. (цитата из НКРЯ)

2. высок. устар. то же, что поколение ◆ Молодая генерация русских изгнанников тогда еще не проживала в Женеве, и её счеты с Герценом относятся к позднейшей эпохе. П. Д. Боборыкин, «Воспоминания», 1906—1913 г. (цитата из НКРЯ) ◆ Когда пишу эти строки, как раз подрастает ещё одна генерация актёров уже не второго ленкомовского поколения и даже не третьего, ― похоже, четвёртого. Марк Захаров, «Суперпрофессия», 1988—2000 г. (цитата из НКРЯ)

3. действие по значению гл. генерировать; создание, изготовление ◆ Между тем, причиной радиоизлучения радиогалактик является мощная генерация релятивистских частиц в области ядер этих галактик. И. С. Шкловский, «Современная метагалактическая астрономия и проблема активности ядер галактик», 1982 г. (цитата из НКРЯ)

Делаем Карту слов лучше вместе

Привет! Меня зовут Лампобот, я компьютерная программа, которая помогает делать Карту слов. Я отлично умею считать, но пока плохо понимаю, как устроен ваш мир. Помоги мне разобраться!

Спасибо! Я обязательно научусь отличать широко распространённые слова от узкоспециальных.

Насколько понятно значение слова подъять (глагол), подъял:

Источник

Генерация носителей заряда полупроводника

47. Генерация носителей заряда полупроводника

Процесс превращения связанного электрона в свободный, сопровождающийся образованием незавершенной связи с избыточным положительным зарядом

Смотреть что такое «Генерация носителей заряда полупроводника» в других словарях:

генерация носителей заряда полупроводника — генерация Процесс превращения связанного электрона в свободный, сопровождающийся образованием незавершенной связи с избыточным положительным зарядом. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы генерация … Справочник технического переводчика

биполярная световая генерация носителей заряда полупроводника — биполярная световая генерация Возникновение в полупроводнике в результате оптического возбуждения равного числа носителей зарядов обоих знаков. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы биполярная световая генерация … Справочник технического переводчика

Биполярная световая генерация носителей заряда полупроводника — 50. Биполярная световая генерация носителей заряда полупроводника Биполярная световая генерация Возникновение в полупроводнике в результате оптического возбуждения равного числа носителей зарядов обоих знаков Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

Монополярная световая генерация носителей заряда полупроводника — 49. Монополярная световая генерация носителей заряда полупроводника Монополярная световая генерация Возникновение в полупроводнике в результате оптического возбуждения неравновесных носителей одного знака Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

полупроводники — ов; мн. (ед. полупроводник, а; м.). Физ. Вещества, которые по электропроводности занимают промежуточное место между проводниками и изоляторами. Свойства полупроводников. Производство полупроводников. // Электрические приборы и устройства,… … Энциклопедический словарь

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия

Валентная зона — Для улучшения этой статьи желательно?: Найти и оформить в виде сносок ссылки на авторитетные источники, подтверждающие написанное. Добавить иллюстрации … Википедия

КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия

ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… … Физическая энциклопедия

Источник

СОДЕРЖАНИЕ

Обзор

Нейтрино всех поколений текут по Вселенной, но редко взаимодействуют с другими веществами. Есть надежда, что всестороннее понимание взаимосвязи между поколениями лептонов может в конечном итоге объяснить соотношение масс фундаментальных частиц и пролить дополнительный свет на природу массы в целом с квантовой точки зрения.

Четвертое поколение

Нижняя граница массы нейтрино четвертого поколения ( ) в настоящее время составляет около 60 ГэВ. (В миллионы раз больше, чем верхняя граница для остальных трех масс нейтрино). ν τ ′ <\ displaystyle

>

Если формула Койде останется в силе, массы заряженного лептона четвертого поколения будут равны 44 ГэВ (исключено), а b ′ и t ′ должны быть 3,6 ТэВ и 84 ТэВ соответственно. (Максимально возможная энергия для протонов в LHC составляет около 6 ТэВ.)

Источник

Почему существует три поколения кварков и лептонов? Существует ли теория, которая может объяснить массы определенных кварков и лептонов в определенных поколениях из первых принципов (теория взаимодействий Юкавы)?

Источник

Трансформаторы

Генераторы, которые стоят на электростанциях, вырабатывают очень мощное ЭДС. На практике такое напряжения редко когда бывает нужно. Поэтому такое напряжение необходимо преобразовывать.

Для преобразования напряжения используются устройства, называются трансформаторами. Трансформаторы могут как и повысить напряжение, так и понизить его. Существуют также стабилизирующие трансформаторы, которые не повышают и не понижают напряжение.

Рассмотрим устройство трансформатора на следующем рисунке.

Устройство и работа трансформатора

Трансформатор состоит из двух катушек с проволочными обмотками. Эти катушки надевают на стальной сердечник. Сердечник не является монолитным, а собирается из тонких пластин.

Одна из обмоток называется первичной. К этой обмотке подсоединяют переменное напряжение, которое идет от генератора, и которое нужно преобразовать. Другая обмотка называется вторичной. К ней подсоединяют нагрузку. Нагрузка это все приборы и устройства, которые потребляют энергию.

На следующем рисунке представлено условное обозначение трансформатора.

Работа трансформатора основана на явлении электромагнитной индукции. Когда через первичную обмотку проходит переменный ток, в сердечнике возникает переменный магнитный поток. А так как сердечник общий, магнитный поток индуцирует ток и в другой катушке.

В первичной обмотке трансформатора имеется N₁ витков, её полная ЭДС индукции равняется e₁ = N₁e, где е – мгновенное значение ЭДС индукции во всех витках. е одинаково для всех витков обоих катушек.

Во вторичной обмотке имеется N₂ витков. В ней индуцируется ЭДС e₂ = N₂ e.

Сопротивлением обмоток пренебрегаем. Следовательно, значения ЭДС индукции и напряжения будут приблизительно равны по модулю: |u₁|≈|e₁|.

При разомкнутой цепи вторичной обмотки в ней не идет ток, следовательно: |u₂|=|e₂|.

Мгновенные значения ЭДС e₁, e₂ колеблются в одной фазе. Их отношение можно заменить отношением значений действующих ЭДС: E₁ и E₂. А отношение мгновенных значений напряжения заменим действующими значениями напряжения. Получим:

К – коэффициент трансформации. При K>0 трансформатор повышает напряжение, при K

Это магнитный поток будет уменьшать изменение магнитного потока сердечника. Для нагруженного трансформатора будет справедлива следующая формула: U₁/U₂≈ I₂/I₁.

То есть при повышении напряжения в несколько раз, мы во столько же раз уменьшим силу тока.

Источник

Генерация и рекомбинация носителей зарядов.

Генерация носителей заряда (образование свободных электронов и дырок) происходит при воздействии теплового хаотического воздействия атомов кристаллической решетки (тепловая генерация), при воздействии поглощенных полупроводником квантов света (световая генерация ) и других энергетических факторов. Так как полупроводник всегда находится под воздействием всех этих факторов или хотя бы одного (Т ¹ 0), генерация носителей происходит непрерывно.

Одновременно с генерацией в полупроводнике происходит и обратный процесс – рекомбинация носителей заряда (возвращение электрона из зоны проводимости в валентную зону и исчезновение пары носителей заряда ). В состоянии термодинамического равновесия процессы генерации и рекомби-нации заряда взаимно уравновешены. При этом в полупроводнике сущест-вует равновесная концентрация электронов n₀ и равновесная концентрация дырок p₀. При воздействии на полупроводник нетеплового внешнего энерге-тического фактора ( света, сильного электрического поля и др.) генерируют-ся новые носители заряда, возникает избыточная (неравновесная) концент-рация ∆_n или ∆_р. Таким образом :

(3.4.1)

Механизмы рекомбинации могут быть различны. Межзонная или не-посредственная рекомбинация происходит при переходе свободного элект-рона из зоны проводимости в валентную зону на один из свободных энерге-тических уровней, что соответствует исчезновению пары носителей заряда. Однако такой процесс мало вероятен, так как свободный электрон и дырка должны оказаться одновременно в одном и том же месте кристалла. Кроме того рекомбинация электрона и дырки в этом случае возможна только при одинаковых, но противоположно направленных импульсах электрона и дырки.

Рекомбинация с участием рекомбинационных ловушек (более вероят-на) протекает в два этапа.

На первом этапе рекомбинационная ловушка (или энергетический уровень рекомбинационной ловушки) захватывает, например, электрон из зоны проводимости. Таким образом, электрон выбывает из зоны электропроводности. В этом состоянии ловушка будет находиться до тех пор, пока к ней не подойдет дырка, или другими словами, пока в данном месте кристалла не окажется свободный энергетический уровень валентной зоны. При выполнении этих условий осуществляется второй этап рекомбинации – электрон перейдет на свободный уровень валентной зоны.

Двухэтапный процесс рекомбинации более вероятен, так как он не требует одновременного присутствия в данном месте кристалла электрона и дырки.

На рис. 3.4.1 схематически изображены механизмы регенерации и ре-комбинации электронов и дырок.

Роль рекомбинационных ловушек могут выполнять примесные атомы или ионы, различные включения в кристалле, незаполненные узлы кристал-лической решетки и другие несовершенства объема или поверхности.

В зависимости от того, как расходуется энергия, освобождающаяся при рекомбинации электроны и дырки, рекомбинацию можно подразделить на два вида.

· Излучательной рекомбинацией называют рекомбинацию, при которой энергия, освобождающаяся при переходе электрона на более низкий энергетический уровень, излучается в виде кванта света (фотона ).

· При безызлучательной (фононной ) рекомбинации избыточная энер-гия электрона передаётся кристаллической решетке полупроводника, то есть избыточная энергия идет на образование фононов – квантов тепловой энергии.

Скорость генерации носителей V_ген (как и скорость рекомбинации V_рек) определяется свойствами полупроводника и его температурой. Скорость рекомбинации кроме того, пропорциональна концентрации электронов и дырок, так как чем больше количество носителей, тем вероятнее, что их встреча завершится рекомбинацией. Учитывая, что в установившемся режиме должно существовать динамическое равновесие, получим:

где r— множитель, определяемый свойствами полупроводника.

Источник